信息存储应用技术
  • 半导体存储装置的制作方法
    本申请要求2017年11月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0161584的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路,更具体地,涉及一种半导体存储装置。半导体存储装置被配置为将数据储存在由地址指定的位置处以及输出被储存...
  • 提高NOR型存储阵列读取速度的方法及装置与流程
    本发明实施例涉及非易失性存储器,尤其涉及一种提高NOR型存储阵列读取速度的方法及装置。现有技术中对于NOR型存储阵列读取的时候,通常采取的办法是:现有技术中对于NOR型存储阵列读取的时候,通常采取的办法是:假定芯片内部共有x个读取电路,读取电路的数量为选中位线的数量,x为2的整数次...
  • 半导体器件和包括其的系统的制作方法
    本申请要求2017年11月28日提交的第10-2017-0160872号韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。本公开的实施例总体可以涉及一种半导体器件和包括其的系统,更具体地,涉及用于在半导体器件的探针测试(probetest)期间检测有缺陷或失效部分的技术。随着...
  • 存储器的阈值电压的恢复方法及装置与流程
    本发明实施例涉及非易失性存储器,尤其涉及一种存储器的阈值电压的恢复方法及装置。处于编程状态的存储单元放的时间太久,存在电子流失的情况,当电子流失到一定程度时,会使得处于编程状态的存储单元的阈值电压降低到一定数值,处于弱编程状态。现有技术的第一种解决方法是:对处于弱编程状态的存储单元...
  • 闪存参考电路的制作方法
    本发明实施例涉及非易失性存储器,尤其涉及一种闪存参考电路。随着消费电子产品市场的发展,闪存作为主要的存储器在手机、数码相机等产品中得到了广泛应用,市场规模在不断的扩大。现有技术中的读操作实际上是选中要读的存储单元,在其栅极上加一定的电压,在漏极上加一定的电压,再将存储单元的漏极电流...
  • 闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置与流程
    本发明实施例涉及非易失性存储器,尤其涉及一种闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置。随着消费电子产品市场的发展,闪存作为主要的存储器在手机、数码相机等产品中得到了广泛应用,市场规模在不断的扩大。现有技术中的读操作实际上是选中要读的存储单元,在其栅极上加一定的电压,在漏极上加一定的电...
  • 非易失性存储设备及其编程方法与流程
    本专利申请要求于2017年11月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0158571的优先权,在此通过引用合并该韩国专利申请的整个内容。本公开涉及一种对非易失性存储设备编程的方法。半导体存储设备可以包含:易失性存储器,诸如,动态随机存取存储器(DRAM)和静...
  • 半导体存储装置及其复位方法与流程
    本发明涉及一种堆叠(stack)有多个裸片(die)或芯片(chip)的半导体存储装置及其复位方法,且涉及一种搭载有串行外部接口(serialperipheralinterface,SPI)功能的闪速存储器(flashmemory)。多芯片封装(multichippackage)是...
  • 闪存控制器和设置在闪存控制器中的编码器和编码器的制作方法
    本发明涉及编码器,尤其涉及一种应用在闪存控制器中的编码器。在一般的编码器中,会具有一个校验码检查矩阵(parity-checkmatrix),以供编码器检查所产生出来的校验码是否正确。举例来说,编码器在对数据进行编码以产生校验码之后,会将数据与校验码和此校验码检查矩阵进行相乘,而若是相乘...
  • SRAM写控制电路的制作方法
    本发明实施例涉及集成电路领域,尤其涉及SRAM写控制电路。静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,简称SRAM),是一种置于CPU和主存间的高速缓存,具有速度快、易于嵌入、不需要刷新操作等优势。目前,为了提高写入能力,会将存储单元电路的写字线的电压升到电...
  • 译码状态的预测系统建立方法与操作方法与流程
    本发明是有关于一种数据分析的方法,且特别是有关于一种译码状态的预测系统建立方法与操作方法。众所周知,快闪存储器(flashmemory)已经非常广泛的应用于各种电子产品。当快闪存储器中的数据经过多次的写入与抹除之后,快闪存储器的状态会逐渐劣化。因此,读取的数据在译码过程可能会出现错误。当...
  • 数据写入方法和存储装置与流程
    本发明涉及数据写入方法和存储装置。针对半导体存储装置,在装置的装配后并且在制品的出库前进行在该装置中写入固有的数据(以下,称为唯一数据(uniquedata))的处理。例如,在半导体存储装置的制造过程中,进行写入用于调整制造上的偏差的修整数据的处理。此时,在存在写入对象的多个半导体装置的...
  • 存储装置及其操作方法与流程
    本申请根据要求于2017年11月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0159312的优先权,通过引用将其全部公开内容并入本文。本发明构思涉及一种存储装置及其操作方法。随着对低功耗和高度集成的存储装置的需求的增加,正在进行对各种类型的下一代存储装置的研究。正...
  • 具有电阻式存储器件的存储系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年11月28日提交的申请号为10-2017-0160652的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明的各种实施例涉及一种半导体设计技术,并且更具体地涉及一种具有电阻式存储器件的存储系统的命令调度方法。关于对半导体存储器件的高容量和低功耗的需求...
  • 具有电阻式存储器件的存储系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年11月28日提交的申请号为10-2017-0160651的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。本发明的各种实施例涉及一种半导体设计技术,更具体地,涉及具有电阻式存储器件的存储系统的数据总线反相(DBI)操作。关于对半导体存储器件的高容量和低功...
  • 存储设备、包括其的片上系统及操作其的方法与流程
    该申请要求于2017年11月29日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2017-0161231,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明构思的各种示例实施例涉及一种半导体设备,更具体地,涉及一种存储设备、包括该存储设备的片上系统和/或操作该存储设备的方法。通常,...
  • 抗单粒子翻转的静态随机存取存储器单元的制作方法
    本发明涉及半导体制作领域,特别是涉及一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器单元。为了满足数字系统性能的需求,处理器会将经常用到的数据和指令存放在离它很近的高速片上存储器中,也就是“高速缓冲存储器”中。高速缓存是介于中央处理器和主存储器之间的高速小容量存储器。不同级别的高速缓存都是由静态随机存...
  • 半导体装置的制作方法
    本申请要求2017年11月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0159522的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。各种实施例总体而言涉及一种半导体电路,并且更具体地,涉及一种能够转换数据输入/输出结构的半导体装置。半导体装置可以被划分为由一个裸片配置的单裸...
  • 一种基于相变存储器实现二进制并行加法的方法及系统与流程
    本发明属于微电子学,更具体地,涉及一种基于相变存储器实现二进制并行加法的方法及系统。相变存储器是利用相变材料在晶态和非晶态之间可以快速重复转换且不同态具有巨大性质差异的特性而研究出的一种非易失性存储器,有望取代闪存成为下一代主流存储器。状态之间转换目前主要是通过施加脉冲实现。针对相...
  • 具有垂直结构的非易失性存储装置及包括其的存储系统的制作方法
    本发明构思涉及存储装置,更具体地,涉及具有垂直结构的非易失性存储装置及包括其的存储系统。随着信息通信设备被开发为具有多种功能,用于这种设备的存储器需要大容量和高集成度。由于存储单元尺寸减小以实现高集成度,所以存储装置中包括的操作电路和/或布线的结构的复杂性会使电特性降低。因此,需要具有高集...
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